SJT 11058-1996 电子元器件详细规范4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
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ID： |
C6BAD18F9B69474B97B395BD527E5C07 |
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文件大小(MB)： |
0.84 |
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页数： |
13 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国家准,电子元器件详细规范,4csi421 型,硅高频双绝缘棚场效应晶体管,Detail specification for electronic component,high frequency silicon dual insulated-gate,field-effect transistor of type 4csi421,GB 10277—88,降为 SJ/T 11058-96,本标准规定了 4csi421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管的详细要求G,本标准适用于4csl421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管〇,本标准是参照GB 6219 ( 1GHz. 5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》制订的,符合GB,4636.1 (半导体分立器件总规范》!类的要求.,中华人民共和国电子工囊部1988-0422最准198978 丒01 实 Ml,1,GB 10217—88,国家标准局,评定器件质量的根据:GB 4936.1,《半导体分立器件总规范》,4CS 1421型详细规范,订货资料.见本规范第7章,1机械说明,外形图及弓I出端识别,GB 10277—8；,2简略说明,N沟道双绝缘栅耗尽型场效应晶体管,半导体材料;P型硅,封裝:塑料（非空腔）,应用:在UHF频段作高频放大用,ペ。+,0<±0.2 〇.GC 0,4+0,2,9*0,01,I,0,+,注意:装配静电敏感器件应遵守预防措施,3面丒评定类别,2.8 + 0.2,-0.3 H类,I L5 I,0.65+0.15 I十-- -- 1-,ス1 1丒,0,65+0.1&,*0,中- a,?0 相9 中二,(a-e,参考数据,Pt。产 15QmW,I Y2is I Al2ms,Gp/ IL 5dB,FV5dB,Pi 0.5^4.0mA,i小分档:,Q： 3.0~13mA,极极栅ー栅,源漏ニー,3,A4,标志;见本规范第6章,GB 10277—88,但,4极限値（總对最大额定值）,除非另有规定,Twmb = 25P,6电特性,条文号,wwu 皿ワ，l 9.,“山4 mwjjmj1.，セ丒丒丒q?w丒丒丒iエ 丒丒i i1丒牌,名 称符 号,数值,单,最小值最大值位,4.1 环境温度T tab -55 + 125 XJ,4.2 贮存温度T$lt -55 4-125 七,4.3 漏源电压Vds 15 V,ー栅源电压Vais,丒,.,±8 V,4.4 .. — ■'],二栅源电压Vg” ±8 V,4.7,も,漏极电流Id 30 mA,4.8.2,沟道温度Tch + 125,耗散功率P to t 150 mW,检验要求见本规范第8章,条文号,特性和条件,除非另有规定,T“b=25P 符 号,5.1,5.2,Vgis = 8V,数 值,单检验,ー栅正向漏泄电流,ー栅反向漏泄电流,二栅正向漏泄电流,二栅反向漏泄电流,ー栅源截止电压,二栅源截止电压,Vds -Vgjs^O,VdshVgis = O,VgL6V,Vgis = 1 8V,Vgis~ 16V,V G2S =8V,Vgis?=6V,Vg2sH - 8V,Vg2S = -6V,T*=25P,T. = tOOP,Ta = 100X3,7产25セy,Ta?lOOX;,T.= 25*C,Ta^lOOIC,Vds^IOV； Vg2sH4V： Id?ioo gA,Vds . 10V； Vqis ^0 i Id=100 uA,QiSSFC),/g1SSR(1),Ifh Id > ■ .， A ■ 6, 1M-I—■----- 1-r -T- ■---- ■ . ■,Ig1SSR(I),IgSSSFCD,lG2SSF(i),Ig2SSR(1),Ig2SSR(2),VGx$
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